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| 规则 1： |
“S29GL512N” 表示 “DEVICE NUMBER/DESCRIPTION”
为 “3.0 Volt-only, 512 Megabit (32 M x 16-Bit/64 M x 8-Bit) Page-Mode Flash Memory Manufactured on 110 nm MirrorBitTM process technology”
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| 规则 2： |
“11” 表示 “SPEED OPTION”
为 “110 ns (Recommended)”
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| 规则 3： |
“F” 表示 “PACKAGE TYPE”
为 “Fortified Ball Grid Array, 1.0 mm pitch package (LAA064)”
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| 规则 4： |
“F” 表示 “PACKAGE MATERIALS SET”
为 “Pb-free (Recommended)”
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| 规则 5： |
“I” 表示 “TEMPERATURE RANGE”
为 “Industrial (–40°C to +85°C)”
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| 规则 6： |
“01” 表示 “MODEL NUMBER (VIO range, protection when WP# =VIL)”
为 “VIO = VCC = 2.7 to 3.6 V, highest address sector protected”
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| 规则 7： |
“0” 表示 “PACKING TYPE”
为 “Tray (standard; see note 1)”
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