新产品STV250N55F3是首款结合ST PowerSO-10TM封装和ribbon bonding技术的功率MOSFET，拥有极低的无裸晶封装电阻率。新产品采用ST的高密度STripFET III制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III的其它优点包括：开关损耗低及抗崩溃的能力。除了提升散热效率外，九线 的源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300W。
新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的MOSFET，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。STV250N55F3适用于高达55V的应用。
高达175℃的工作温度使STV250N55F3适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保晶片的可靠性和稳固性。
在同一个系列产品，ST还有一款55V的产品STV200N55F3，此产品的额定连续汲极电流为200A，且其源极连线配置为4线。 STV250N55F3样品已供 应中，预计于2008年第3季开始量产。
