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IBM生产出首个22纳米工艺SRAM芯片

来源:21IC中国电子网  发布时间:2008-08-21 06:11  评论:0条  阅读:103次 发给好友
      IBM周一宣布,已生产出首个22纳米工艺SRAM(静态存储器)单元。 


      据国外媒体报道,SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备,速度更快、体积更小且技术更复杂,主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。 


      IBM认为SRAM芯片的生产是缩小整个微处理器体积的重要一步。SRAM芯片将使22纳米处理器性能大幅提高,并减少耗电。 


      IBM希望,到2011年能够制造出22纳米制程处理器。IBM研究机构副总裁陈博士表示:“随着处理器内核数量增多,人们对微处理器中存储器的需求也在日渐增加。为满足市场需求,我们会不断地向下一代半导体技术挺进。” 


      去年9月,Intel曾公开展示了32纳米SRAM芯片,预计今年秋季可能会交出首颗32nm处理器原型。由此可见,要想与22纳米工艺SRAM芯片见面,还需等待多时。 


      IBM则表示,其32纳米工艺进展顺利,制作过程中将使用业界领先的32nm High-K金属栅极技术,可超过任何企业和联盟。 



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