AUIRS2123S和AUIRS2124S高速功率MOSFET和IGBT驱动器符合AEC-Q100标准，可以提供10V至20V的栅极驱动电源电压。输出驱动器具有适用于最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲过程，而浮动通道可用来驱动在600V电压下工作的高压端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。这两种器件均具有负电压尖峰(Vs)免疫性，可防止系统在大电流切换和短路情况下发生損坏事件。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“新型IC专为汽车应用而设，它采用了特有的闭锁免疫CMOS技术，具有优异的负电压尖峰免疫性，在极高要求的环境和汽车罩内应用中,具必须的坚固和可靠性能。”
AUIRS2123S的特点是输出信号与输入信号同相，而AUIRS2124S的特点是输出信号与输入信号异相。这两款器件都具有欠压锁定和下拉式CMOS施密特触发输入的特点。新型IC采用了IR的先进高压IC工艺制成，它集成了新一代高压电平转换和端接技术，以提供卓越的电气过应力保护和更高的现场可靠性。
8引脚的SOIC封装产品接受批量订单。这些汽车适用的器件不含铅，符合电子产品有害物质限制规定(RoHS) 。
